GexC1-x薄膜在红外增透保护膜系设计和制备中的应用

• 作者: 于忠奇 刘正堂 宋建全 耿东生 郑修麟
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: GexC1-x薄膜 射频磁控反应溅射 膜系设计 红外增透保护膜系
• 年，卷（期）: 2000,（4）
• 页码范围: 266-268
• 页数: 3页
• 分类号: TN2
• 字数: 2358字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.2000.04.003

摘要

用磁控反应溅射(RS)法制备出GexC1-x薄膜,它的折射率可在1.6～4.0之间变化.设计出不同厚度的GexC1-x均匀增透膜系和非均匀增透膜系,并在ZnS基片上制备出GexC1-x均匀增透膜系.设计结果表明,均匀膜系能实现某一波段范围内增透,非均匀膜系能实现宽波段增透;当厚度增加时,均匀增透膜系的透过率曲线变得急剧振荡,非均匀膜系的透过率曲线变得更为平滑,且向长波段扩展.实验结果表明,在8～11.5μm波段,ZnS基片双面镀GexC1-x均匀增透膜系后平均透过率为90.4%,比未镀膜的ZnS基片(平均透过率为73.9%)净增加16.5%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑修麟	西北工业大学材料科学与工程学院	44	293	10.0	14.0
2	刘正堂	西北工业大学材料科学与工程学院	120	749	14.0	21.0
3	耿东生	西北工业大学材料科学与工程学院	15	150	8.0	12.0
4	宋建全	西北工业大学材料科学与工程学院	10	92	5.0	9.0
5	于忠奇	西北工业大学材料科学与工程学院	5	50	3.0	5.0