影响HEMT高频特性的因素分析

• 作者: 孟小碧 龚仁喜
• 来源期刊: 宝鸡文理学院学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: HEMT 高频特性 因素分析
• 年，卷（期）: 2000,（4）
• 所属期刊栏目: 博士论坛
• 页码范围: 276-279
• 分类号: TN432
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-1261.2000.04.002

摘要

在已建立模型的基础上,分析了AlGaAs/GaAs HEMT的几个重要参数(栅长、栅宽、掺杂AlGaAs层的厚度、未掺杂AlGaAs层的厚度、AlGaAs层掺杂浓度、栅压、漏压)对其高频特性的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	龚仁喜	广西大学电气工程学院	89	835	17.0	25.0
2	孟小碧	广西大学电气工程学院	2	10	1.0	2.0