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摘要:
通过传统的光刻工艺和纳米引晶技术,在抛光的单晶Si衬底上形成带有超细金刚石纳米粉的引晶图案,并利用该图案与抛光Si处金刚石成核密度的巨大差异,实现金刚石薄膜的高选择比生长.该方法具有工艺简单、沉积效率高、选择比高、对底无任何损伤等优点.同时,这种方法很容易在不同衬底上实现金刚石薄膜的大面积选择性生长.
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在不同衬底上用纳米引晶法选择性生长金刚石薄膜
纳米引晶
金刚石薄膜
选择性生长
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金刚石薄膜
热丝CVD
研磨法
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 纳米引晶法选择性生长金刚石薄膜
来源期刊 原子与分子物理学报 学科 物理学
关键词 纳米引晶 金刚石薄膜 选择性生长
年,卷(期) 2000,(3) 所属期刊栏目 会议论文
研究方向 页码范围 548-552
页数 5页 分类号 O484.1
字数 2800字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-0364.2000.03.032
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 邹广田 吉林大学超硬材料国家重点实验室 71 390 9.0 16.0
2 王文魁 中国科学院物理研究所 23 130 6.0 10.0
3 高春晓 吉林大学超硬材料国家重点实验室 23 25 4.0 4.0
4 王成新 吉林大学超硬材料国家重点实验室 6 9 2.0 3.0
5 刘洪武 吉林大学超硬材料国家重点实验室 5 5 1.0 2.0
6 李迅 吉林大学超硬材料国家重点实验室 8 25 4.0 5.0
10 韩永昊 吉林大学超硬材料国家重点实验室 7 9 2.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
纳米引晶
金刚石薄膜
选择性生长
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
原子与分子物理学报
双月刊
1000-0364
51-1199/O4
大16开
成都市一环路南一段24号
62-54
1986
chi
出版文献量(篇)
4271
总下载数(次)
1
总被引数(次)
10724
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