ZnSe:Cl, N单晶薄膜中载流子浓度的 电学法测量和光学法确认

• 作者: 何力 夏宇兴 姬荣斌 巫艳 庞乾骏 李标 杨建荣 王善忠 谢绳武 郑杭
• 来源期刊: 量子电子学报
• 关键词: ZnSe:Cl,N单晶薄膜,载流子浓度,电学法测量,光 学法测量
• 年，卷（期）: 2000,（1）
• 所属期刊栏目: 光电测量与器件
• 页码范围: 85-90
• 页数: 5页
• 字数: 2738字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-5461.2000.01.017

摘要

为了证实某一研究结果的正确性，常常需要采用两种以上 相互独立的方法对同一物理量进行测量或计算。本文采用新颖的远红 外光谱技术和常用的Hall、C-V 等电学测量技术同时对MBE生长的 ZnSe:Cl,N薄膜中的载流子浓度进行评价研究， 发现电学法和光学法测 量的结果可以很好地吻合，从而确认了ZnSe宽禁带蓝绿色发光材料中 较高的掺杂水平。