p+-ZnSe∶N单晶薄膜的MBE生长与特性研究

• 作者: 何力 姬荣斌 巫艳 庞乾骏 王善忠 谢绳武
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 化学
• 关键词: 氮掺杂源 MBE p-ZnSe 评价
• 年，卷（期）: 2000,（5）
• 页码范围: 397-400
• 页数: 4页
• 分类号: O6
• 字数: 3553字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.2000.05.017

摘要

研制了石英质射频激励等离子体活性氮源,将此氮源安装到国产FW-Ⅲ型分子束外延设备上,成功地生长了p型ZnSe∶N优质单晶薄膜.SIMS测量表明,薄膜中氮浓度高达～1.5×1020cm-3;PL测量表明,氮在ZnSe中形成了受主能级;C-V测量表明,净空穴浓度[Na]-[Nd]≈5×1017cm-3,达到了制备原理性蓝绿色激光二极管的要求(～4.0×1017cm-3).C-V测量的结果同时得到远红外光谱法测量数据的佐证.