ZnSe单晶薄膜生长控制和掺杂控制

• 作者: 乔怡敏 于梅芳 何力 夏宇兴 姬荣斌 巫艳 庞乾骏 杜美容 杨建荣 王善忠 谢绳武 郑杭 郭世平
• 来源期刊: 量子电子学报
• 关键词: ZnSe MBE 生长控制 掺杂控制
• 年，卷（期）: 2000,（2）
• 所属期刊栏目: 激光过程与器件
• 页码范围: 139-144
• 页数: 6页
• 字数: 2738字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-5461.2000.02.007

摘要

为研制ZnSe基蓝绿色半导体激光器,必须能够对组成激光器的各单元材料实现精确控制生长,包括材料的晶体质量、掺杂浓度和生长速度等。ZnSe是制备蓝绿激光器的基础材料,本文报道利用MBE技术对ZnSe 材料进行生长控制和掺杂控制的初步研究结果。