LT-GaAs中的超快光电导特性

• 作者: 廖睿 张海潮 文锦辉 林位株 赖天树 郭冰
• 来源期刊: 中国学术期刊文摘
• 关键词: 飞秒激光 LT-GaAs 超快光电导开关
• 年，卷（期）: 2000,（12）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 1505-1506
• 页数: 2页
• 语种: 中文

摘要

采用飞秒脉冲光电探测技术,研究低温生长砷化镓光电导开关超快响应特性.实验测得不同激发波长或偏置电压下LT-GaAs光电导开关瞬态响应弛豫时间约350-390 fs.由导出的瞬态光电流相关响应归一化表达式,对实验曲线进行数据拟合,结果与实验曲线吻合,说明材料中缺陷态的捕获是导致超快光电导响应的主要原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张海潮	中山大学超快速激光光谱学国家重点实验室物理系	11	44	4.0	6.0
2	文锦辉	中山大学超快速激光光谱学国家重点实验室物理系	26	120	7.0	10.0
3	郭冰	中山大学超快速激光光谱学国家重点实验室物理系	33	114	6.0	9.0
4	赖天树	中山大学超快速激光光谱学国家重点实验室物理系	28	108	7.0	9.0
5	林位株	中山大学超快速激光光谱学国家重点实验室物理系	40	155	8.0	10.0
6	廖睿	中山大学超快速激光光谱学国家重点实验室物理系	7	36	4.0	6.0