亚微米GeSi HBT的物理模型与数值模拟方法

• 作者: 刘其贵 吴金 夏君 杨廉峰 魏同立
• 来源期刊: 东南大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: GeSi HBT 输运模型 离散 线性化
• 年，卷（期）: 2000,（1）
• 页码范围: 62-67
• 页数: 6页
• 分类号: TN302
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-0505.2000.01.012

摘要

系统分析了小尺寸半导体器件中的载流子非本地输运模型,重点研究了非均匀能带结构和异质结效应对输运电流密度的影响.同时,给出了归一化处理后的系统数学模型,并对器件的边界条件、参数模型、方程的离散及线性化处理等问题进行了讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	夏君	东南大学微电子中心	9	27	3.0	5.0
2	吴金	东南大学微电子中心	47	437	13.0	19.0
3	杨廉峰	东南大学微电子中心	10	47	4.0	6.0
4	刘其贵	东南大学微电子中心	14	123	5.0	11.0
5	魏同立	东南大学微电子中心	87	942	17.0	26.0