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摘要:
<正> 4.4 宽带隙半导体微波器件近年来,以SiC、GaN和半导体金刚石为代表的宽带隙半导体微波器件的研究开发引人注目。这类器件适宜在高频、高温(>500℃)、强辐射环境下工作,具有优异的微波功率性能。其中SiC器件技术最
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关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 微波半导体器件及电路的应用概况(续二)
来源期刊 电子元器件应用 学科 工学
关键词 微波器件 半导体器件 半导体电路
年,卷(期) 2000,(12) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 1-2
页数 2页 分类号 TN303
字数 语种
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 莫火石 6 0 0.0 0.0
2 盛柏桢 6 0 0.0 0.0
传播情况
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引文网络
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2000(0)
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研究主题发展历程
节点文献
微波器件
半导体器件
半导体电路
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子元器件应用
月刊
1563-4795
大16开
西安市科技路37号海星城市广场B座240
1999
chi
出版文献量(篇)
5842
总下载数(次)
7
总被引数(次)
11366
论文1v1指导