Si基GaN紫外光探测器

• 作者: 席冬娟 张荣 江若琏 沈波 罗志云 赵作明 郑有炓 陈鹏
• 来源期刊: 高技术通讯
• 学科: 工学
• 关键词: 紫外光导探测器 GaN外延层 响应度
• 年，卷（期）: 2000,（11）
• 所属期刊栏目: 研究通讯
• 页码范围: 16-18
• 页数: 3页
• 分类号: TN2
• 字数: 1828字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1002-0470.2000.11.005

摘要

报道了以Si(111)为衬底的GaN光导型紫外探测器的制备及其光电流性质.探测器的光谱响应表明,这种GaN探测器在紫外波段250～360nm有近于平坦的光电流响应,363nm附近有陡峭的截止边.在357nm波长处,测得5V偏压下的响应度高达6.9A/W.响应度随外加偏压的增加而增加,5V时达到饱和.通过拟合光电流响应随入射光调制频率的变化关系,得到GaN探测器的响应时间为4.8ms.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈鹏	南京大学物理系	57	921	13.0	30.0
2	郑有炓	南京大学物理系	78	353	11.0	15.0
3	张荣	南京大学物理系	134	576	13.0	17.0
4	沈波	南京大学物理系	34	136	7.0	10.0
5	赵作明	南京大学物理系	5	21	3.0	4.0
6	江若琏	南京大学物理系	11	57	5.0	7.0
7	席冬娟	南京大学物理系	3	18	3.0	3.0
8	罗志云	南京大学物理系	4	7	2.0	2.0