980 nm应变单量子阱的理论设计

• 作者: 于复生 夏伟 张福厚 李树强 陈江华
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 工学
• 关键词: 应变层 半导体激光器 单量子阱
• 年，卷（期）: 2000,（8）
• 所属期刊栏目: 激光器件
• 页码范围: 682-686
• 页数: 5页
• 分类号: TN4|O43
• 字数: 2704字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0258-7025.2000.08.003

摘要

研究了应变单量子阱势阱宽度的计算方法,为应变单量子阱的设计提供了理论依据.对于确定的材料组份,根据应变理论及有限深势阱的处理方法,系统地计算了980 nm应变单量子阱宽度,理论计算与实验结果相吻合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈江华	山东工业大学省光电子中心	3	36	3.0	3.0
2	张福厚	山东工业大学省光电子中心	3	25	2.0	3.0
3	于复生	山东工业大学省光电子中心	8	124	6.0	8.0
4	李树强	山东工业大学省光电子中心	2	24	2.0	2.0
5	夏伟	山东工业大学省光电子中心	1	9	1.0	1.0