CVD金刚石膜场发射机制的探讨

• 作者: 廖克俊 王万录 王必本
• 来源期刊: 重庆大学学报(自然科学版)
• 学科: 物理学
• 关键词: CVD金刚石膜 石墨 场发射
• 年，卷（期）: 2001,（4）
• 页码范围: 145-149
• 页数: 5页
• 分类号: O484.4
• 字数: 3893字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-582X.2001.04.039

摘要

通过分析CVD金刚石膜的结构,对CVD金刚石膜的场发射机制进行了研究.结果表明金刚石膜内含有一定数量的石墨,当电子通过石墨时从石墨的电场中获得能量增大了电子隧穿金刚石晶粒的系数,据此提出了金刚石膜内石墨相增强电子隧穿金刚石颗粒以增强金刚石膜场电子发射的机制,并且根据该机制解释了一些实验现象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王万录	重庆大学理学院	109	849	16.0	22.0
2	廖克俊	重庆大学理学院	66	513	12.0	19.0
3	王必本	重庆大学理学院	15	91	5.0	9.0