三价阳离子固溶的(Sr,Ca)TiO3

• 作者: 江丽君 江涛 谭小球 邹琼 郭育源 魏群
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 三价阳离子 (Sr,Ca)TiO3瓷 固溶体 A缺位浓度 介电性能
• 年，卷（期）: 2001,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 3-4
• 页数: 3页
• 分类号: TM28
• 字数: 2354字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2001.04.002

摘要

探讨三价阳离子(Mx3+=Sb,Y,Nd,La,x=0.02~0.06)固溶于(Sr,Ca)TiO3瓷晶相中,产生缺位补偿的A缺位(VA)点缺陷结构及其介电性能关系.A缺位浓度[VA]取决于M3+的A位或B位取代情况,M3+只取代A位[(Sr,Ca)1-xMx(VA)x/2]TiO3,或M3+只取代B位[(Sr,Ca)1-x/2(VA)x/2](Ti1-xMx)O3,产生A缺位浓度[VA]较大,对其瓷料介电性能影响较明显;M3+同时取代A和B位[(Sr,Ca)]1-x1Mx1](Ti1-x2Mx2)O3,由于电价补偿,产生A缺位浓度[VA]较小,因而对其瓷料介电性能影响较小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	江丽君	华南理工大学电子材料与器件系	17	61	4.0	7.0
2	江涛	华南理工大学电子材料与器件系	18	107	6.0	10.0
3	郭育源	华南理工大学电子材料与器件系	4	10	2.0	3.0
4	谭小球		2	43	1.0	2.0
5	魏群		2	43	1.0	2.0
6	邹琼	华南理工大学电子材料与器件系	8	6	1.0	2.0