硼硅玻璃与单晶硅场致扩散连接形成机理分析

• 作者: 喻萍 孟庆森 张莉娜 薛锦
• 来源期刊: 材料热处理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 玻璃 硅 场致扩散焊 过渡区
• 年，卷（期）: 2001,（4）
• 所属期刊栏目: 新材料
• 页码范围: 17-20
• 页数: 4页
• 分类号: TG453.9
• 字数: 2513字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-6264.2001.04.005

摘要

以固体电解质硼硅玻璃与单晶硅为实验材料,研究了玻璃-金属FDB连接过渡区的微观组织特征,分析了连接形成机理及主要工艺参数对连接过程的影响.提出了金属-氧化物过渡层-玻璃接头结构形式及静电场条件下离子扩散及接合模型.研究认为,金属玻璃的界面接合归因于玻璃中负氧离子的扩散及界面复合氧化物的形成;呈横向柱状组织的复合氧化物对连接强度具有重要意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	喻萍	西安交通大学焊接研究所	15	115	6.0	10.0
2	孟庆森	西安交通大学焊接研究所	8	72	5.0	8.0
4	薛锦	西安交通大学焊接研究所	99	930	19.0	24.0
7	张莉娜	西安交通大学焊接研究所	10	89	4.0	9.0