半导体量子器件物理讲座

• 作者: 王良臣
• 来源期刊: 物理
• 学科: 物理学
• 关键词: 二维电子气 高电子迁移率晶体管 势阱
• 年，卷（期）: 2001,（4）
• 页码范围: 223-229
• 页数: 7页
• 分类号: O4
• 字数: 6675字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0379-4148.2001.04.008

摘要

文章从异质界面的三角势阱中二维电子气的形成人手，计算了二维电子气的量子化能级及其面电子密度.对HEMT器件材料结构参数的优化、器件的电荷控制模型及I-V特性作了分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王良臣	中国科学院半导体研究所	31	192	8.0	13.0