脉冲激光烧蚀沉积ZnSe薄膜的研究

• 作者: Boo Bong-Hyung Cho Han-Joung Lee Jea-Kuang 李富铭 许宁
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 工学
• 关键词: 激光烧蚀 ZnSe薄膜 二维生长模式
• 年，卷（期）: 2001,（7）
• 所属期刊栏目: 激光应用
• 页码范围: 661-663
• 页数: 3页
• 分类号: TN249|O484.1
• 字数: 1808字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0258-7025.2001.07.022

摘要

用248 nm的KrF准分子脉冲激光烧蚀ZnSe靶材沉积ZnSe薄膜。靶采用多晶ZnSe片，衬底采用抛光GaAs(100)。衬底预处理采用化学刻蚀和高温处理。原子力显微镜(AFM)观察显示在GaAs(100)沉积的ZnSe薄膜的平均粗糙度为3～4 nm。X射线衍射(XRD)结果表明ZnSe薄膜(400)峰的半高宽(FWHM)为0.4°～0.5°。对激光烧蚀团束的四极质谱分析表明烧蚀团束主要由Zn，Se和2Se组成，并由此推断ZnSe薄膜的二维生长模式。