(Si, Er)双注入单晶硅近红外光发射

• 作者: 张通和 徐飞 易仲珍 曾宇昕 程国安 肖志松 顾岚岚
• 来源期刊: 北京师范大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 离子注入 双注入 铒掺杂 光发射
• 年，卷（期）: 2001,（4）
• 页码范围: 476-481
• 页数: 6页
• 分类号: TN305.3|O434.3
• 字数: 3706字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0476-0301.2001.04.010

摘要

利用金属蒸气真空弧离子源,将硅和铒离子先后注入到单晶硅中,经快速退火制备出(Si,Er)双注入单晶硅发光薄膜.RBS分析表明铒原子分数接近10%,即原子浓度约1021 cm-3.XRD分析发现,随着Er注量增加,退火态样品中ErSi2相增多.显微结构分析表明,注量条件影响辐照损伤程度、物相变化和表面显微形貌.而这些结构变化将直接决定了(Si,Er)双注入单晶硅发光薄膜近红外区光致发光.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张通和	北京师范大学低能核物理研究所	49	1052	11.0	32.0
2	程国安	南昌大学材料科学与工程系	17	202	5.0	14.0
3	易仲珍	北京师范大学低能核物理研究所	6	7	2.0	2.0
4	曾宇昕	南昌大学材料科学与工程系	11	25	4.0	4.0
5	肖志松	北京师范大学低能核物理研究所	8	10	2.0	2.0
6	顾岚岚		8	42	4.0	6.0
7	徐飞	北京师范大学低能核物理研究所	2	1	1.0	1.0