热处理对非掺杂半绝缘LEC GaAs电特性的影响

• 作者: 刘力锋 杨瑞霞 郭惠
• 来源期刊: 河北工业大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 半绝缘砷化镓 本征受主缺陷 砷间隙扩散 砷压 热处理
• 年，卷（期）: 2001,（5）
• 页码范围: 35-38
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.23
• 字数: 2976字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2373.2001.05.007

摘要

对非掺杂(ND)半绝缘(SI)液封直拉(LEC)GaAs单晶在950 ℃下进行了不同As压的热处理,研究了热处理对材料电特性的影响.发现在950 ℃温度和低As压条件下进行14 h热处理,可在样品中引入本征受主缺陷,并导致体霍尔迁移率大幅下降和体电阻率明显增加.这些受主缺陷的产生是由于高温和低As压条件下GaAs晶体中发生As间隙原子的外扩散.提高热处理过程中的As气压,可抑制这些受主缺陷的产生和电参数的变化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨瑞霞	河北工业大学电气信息学院	180	759	13.0	18.0
2	刘力锋	河北工业大学电气信息学院	5	35	3.0	5.0
3	郭惠	河北工业大学电气信息学院	6	35	3.0	5.0