质量分离的双离子束沉积法生长CeO2(111)/Si薄膜

• 作者: 刘志凯 廖梅勇 杨少延 柴春林 王占国 陈诺夫
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 物理学
• 关键词: 双离子束 CeO2/Si薄膜 生长
• 年，卷（期）: 2001,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 401-403,410
• 页数: 4页
• 分类号: O782|O484.1
• 字数: 2379字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2001.06.001

摘要

利用一种全新的薄膜生长技术-质量分离的双离子束沉积技术,在较低温度(400℃)下对 CeO2(111)/Si(100) 薄膜的生长进行了研究.两束离子的比例以及离子束的能量对薄膜的成分和晶体质量有很大影响,较高能量(300 eV)的离子束对薄膜有轰击作用,并有助于薄膜的择优取向生长.在 400℃时,制备了 CeO2(111)/Si(100) 单晶薄膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘志凯	中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室	17	43	4.0	5.0
2	柴春林	中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室	14	46	4.0	6.0
3	王占国	中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室	101	701	15.0	23.0
4	陈诺夫	中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室	33	154	6.0	11.0
5	廖梅勇	中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室	7	15	2.0	3.0
6	杨少延	中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室	17	35	3.0	5.0