ZnO陶瓷薄膜的制备及其低压压敏性质

• 作者: 刘少波 刘梅冬 夏冬林 曾亦可 李楚容 黄焱球
• 来源期刊: 压电与声光
• 学科: 工学
• 关键词: 掺杂ZnO陶瓷薄膜 低压压敏电阻 新型Sol-Gel法 性能特征
• 年，卷（期）: 2001,（5）
• 所属期刊栏目: 单晶,薄膜及其他功能材料
• 页码范围: 384-386
• 页数: 3页
• 分类号: TM283
• 字数: 2569字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-2474.2001.05.019

摘要

利用新型So1-Gel法在镀有Au底电极的单晶硅片上制备Bi2O3、Sb2O3掺杂的ZnO陶瓷薄膜.先驱体溶液由Bi2O3、Sb2O3掺杂的ZnO纳米粉体均匀分散于含有Zn(CH3COO)2、Bi(NO3)3及Sb2O3的溶胶中制成.薄膜由甩胶法制备,并由400℃预烧、750℃退火.制得的陶瓷薄膜ZnO结晶良好,并存在β-Bi2O3、Zn2Sb3Bi3O14及Zn7Sb2O12相,表现出良好的低压压敏性质.厚约为3μm的ZnO陶瓷薄膜非线性系数α为6.2、压敏电压为5 V、漏电流为8uA.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曾亦可	华中科技大学电子科学与技术系	65	723	15.0	25.0
2	刘梅冬	华中科技大学电子科学与技术系	41	707	16.0	25.0
3	夏冬林	华中科技大学电子科学与技术系	11	265	8.0	11.0
4	刘少波	华中科技大学电子科学与技术系	12	396	10.0	12.0
5	黄焱球	华中科技大学电子科学与技术系	9	339	7.0	9.0
6	李楚容	华中科技大学电子科学与技术系	10	236	7.0	10.0