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摘要:
根据光的吸收机理,分析了单粒子效应脉冲激光模拟实验中所需用的脉冲激光的特点,探讨了脉冲激光单粒子效应的Monte Carlo计算模拟途径。在只考虑光电效应的简化下,得到存储器硅片单粒子翻转时入射脉冲激光能量阈值与临界电荷的计算关系式,进而给出该硅片的翻转截面的计算公式。在给定了存储器硅片的临界电荷的情况下,对入射脉冲激光能量阈值和单粒子翻转截面进行了计算。
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文献信息
篇名 单粒子翻转脉冲激光模拟的能量阈值的计算
来源期刊 强激光与粒子束 学科 物理学
关键词 单粒子翻转 脉冲激光模拟 脉冲激光能量阈值 翻转截面
年,卷(期) 2001,(4) 所属期刊栏目 高功率激光与光学
研究方向 页码范围 436-440
页数 5页 分类号 O571.33
字数 3489字 语种 中文
DOI
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作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 陈雨生 36 433 11.0 19.0
2 李华 18 61 5.0 7.0
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研究主题发展历程
节点文献
单粒子翻转
脉冲激光模拟
脉冲激光能量阈值
翻转截面
研究起点
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研究分支
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
强激光与粒子束
月刊
1001-4322
51-1311/O4
大16开
四川绵阳919-805信箱
62-76
1989
chi
出版文献量(篇)
9833
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7
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61664
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