MOS结构电子、质子辐照感生缺陷的EPR测量

• 作者: 杨志安 杨祖慎 范隆 靳涛
• 来源期刊: 新疆大学学报(自然科学版)
• 学科: 物理学
• 关键词: MOS结构 电离损伤 EPR
• 年，卷（期）: 2002,（1）
• 页码范围: 18-21
• 页数: 4页
• 分类号: O571.33
• 字数: 2601字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-2839.2002.01.005

摘要

利用电子顺磁共振(EPR)技术测量了(100)晶向硅衬底材料上制作的MOS电容在电子和质子辐照前后缺陷电子顺磁(EPR)吸收谱,对比了电子和质子辐照前后缺陷顺磁中心浓度的变化.结果表明,辐照前后带有单个未成对自旋电子的Pb0中心浓度未发生明显变化,电子与质子辐照均产生了新的中性体缺陷,电子辐照后观察到Pb1中心的出现并随辐照注量增大,质子辐照后则未观察这一现象.当质子辐照到1014p/cm2时,引起部分体缺陷顺磁中心的消失.电子辐照后,产生的体缺陷顺磁中心浓度则随辐照注量增大,表明电子与质子辐照作用机制的差异,质子辐照中位移效应和H+的存在最可能是造成晶格缺陷消失和顺磁吸收消失的主要原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	范隆	中国科学院新疆物理研究所	13	69	5.0	8.0
2	靳涛	中国科学院新疆物理研究所	11	6	2.0	2.0
3	杨祖慎	新疆大学物理系	6	8	2.0	2.0
4	杨志安	新疆大学物理系	4	2	1.0	1.0