GaN基材料生长及其在光电器件领域的应用

• 作者: 徐茵 杨大智 王三胜 秦福文 顾彪
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 外延生长 掺杂 半导体器件
• 年，卷（期）: 2002,（1）
• 页码范围: 1-8
• 页数: 8页
• 分类号: TN304.2+6
• 字数: 8719字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2002.01.001

摘要

GaN具有禁带宽、热导率高、电子饱和漂移速度大和介电常数小等特点,在高亮度发光二极管、短波长激光二极管、高性能紫外探测器和高温、高频、大功率半导体器件等领域有着广泛的应用前景.本文介绍了GaN基半导体材料的制备方法,异质结构以及在光电子和微电子器件领域的应用,并讨论了今后的发展趋势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	秦福文	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	40	235	8.0	14.0
2	顾彪	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	41	363	12.0	18.0
3	徐茵	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	26	207	8.0	13.0
4	杨大智	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	84	1226	20.0	31.0
5	王三胜	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	13	97	5.0	9.0