电子束和接触式曝光机的混合曝光技术

• 作者: 刘小伟 刘明 吴德馨 尉林鹏 陈宝钦
• 来源期刊: 微细加工技术
• 学科: 工学
• 关键词: 电子束曝光 混合与匹配
• 年，卷（期）: 2002,（1）
• 所属期刊栏目: 电子束技术
• 页码范围: 13-17
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 2708字
• 语种: 中文

摘要

I线光致抗蚀剂可以同时实用电子束和光学系统曝光,在50kV加速电压下,其曝光剂量为50～100μC/cm2,曝光后在0.7%NaOH溶液内显影1分钟.其灵敏度比PMMA快5倍,分辨率为0.5μm.采用两种方法制备CaAs PHEMT:一种用I线光致抗蚀剂,对源、漏及栅全部都采用电子束曝光,制备了0.5μm栅长的GaAsPHEMT;另一种将源、漏及栅分割成两部分,其中精细部分由电子束曝光,其余部分由光学系统曝光,用这种方法制备了0.25μm栅长的GaAs PHEMT.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘明	中国科学院微电子中心	207	1983	20.0	38.0
2	吴德馨	中国科学院微电子中心	58	345	11.0	14.0
3	陈宝钦	中国科学院微电子中心	50	361	11.0	16.0
4	刘小伟	中国科学院微电子中心	4	3	1.0	1.0
5	尉林鹏	中国科学院微电子中心	2	2	1.0	1.0