单电子晶体管(SET)及其应用

• 作者: 蔡理 马西奎
• 来源期刊: 空军工程大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 单电子晶体管 纳米器件 量子效应 隧道效应 库仑阻塞现象
• 年，卷（期）: 2002,（6）
• 页码范围: 60-63
• 页数: 4页
• 分类号: TN301
• 字数: 3801字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-3516.2002.06.017

摘要

当电子器件的尺寸接近纳米尺度时,量子效应对器件工作的影响变得格外重要,就需要采用具有新机理的晶体管结构,单电子晶体管(SET)就是其中一个典型的结构.文中对比传统晶体管(MOSFET)的工作原理,分析了单电子晶体管SET的工作机理,简要概述了SET的一些应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蔡理	空军工程大学工程学院	136	382	8.0	11.0
3	马西奎	西安交通大学电气学院	111	1418	18.0	33.0