电力半导体器件快中子辐照的安全评价

• 作者: 张斌 王均平
• 来源期刊: 电力电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 电力半导体器件 中子辐照 安全性
• 年，卷（期）: 2002,（3）
• 所属期刊栏目: 器件
• 页码范围: 69-71
• 页数: 3页
• 分类号: TN335
• 字数: 3222字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-100X.2002.03.023

摘要

介绍了快中子辐照降低电力半导体器件少子寿命与中子活化的机理及区别,为避免活化所采取的工艺措施,活化分析及安全评价.结果表明,对于快速晶闸管或整流管,现有的快中子辐照及后处理工艺对人体是绝对安全的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张斌		56	870	15.0	28.0
2	王均平		4	21	1.0	4.0