在CMOS射频集成电路设计中对稳定性的分析

• 作者: 郭为 黄达诠
• 来源期刊: 电路与系统学报
• 学科: 工学
• 关键词: 稳定性 米勒效应 y参数 MOSFET 低噪声放大器
• 年，卷（期）: 2002,（4）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 9-12
• 页数: 4页
• 分类号: TN722.3
• 字数: 2609字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-0249.2002.04.003

摘要

本文详细分析了用于射频集成电路设计的MOS场效应管(MOSFET)的稳定特性.利用米勒(Miller)效应和y参数两种方法对MOSFET的稳定特性做了定性和定量的理论分析,并给出了理论分析和实际仿真的对比结果,从中可看出理论分析和仿真结果完全相符.最后,本文以一个工作于2.4GHz,0.5μm工艺的低噪声放大器(LNA)设计为例,给出了在具体电路设计中,提高整个电路稳定性的方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭为	浙江大学信息与电子工程学系	1	3	1.0	1.0
2	黄达诠	浙江大学信息与电子工程学系	8	31	3.0	5.0