DCB技术应用在真空灭弧室封接中的探索研究

• 作者: 崔秀芳 徐传骧 徐思华
• 来源期刊: 高压电器
• 学科: 工学
• 关键词: 真空灭弧室 铜-陶瓷键合 键合强度
• 年，卷（期）: 2002,（5）
• 所属期刊栏目: 技术讨论
• 页码范围: 29-32
• 页数: 4页
• 分类号: TB756
• 字数: 2707字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-1609.2002.05.010

摘要

围绕真空灭弧室关键技术--金属与陶瓷件间的封接,开展了新型封接工艺--DCB技术封接真空灭弧室的探索研究.对封接强度进行了研究与分析,弄清了Cu-Al2O3瓷DCB键合强度随Cu表面含氧量变化的规律,并就含氧量对键合强度的影响进行了较深入的研究.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐传骧	西安交通大学电气绝缘研究所	73	961	14.0	28.0
2	徐思华	西安交通大学电气绝缘研究所	5	14	2.0	3.0
3	崔秀芳	西安交通大学电气绝缘研究所	2	2	1.0	1.0