ZnSe及ZnSe基异质结构中电子迁移率随静压之变化

• 作者: 郭子政
• 来源期刊: 内蒙古师范大学学报(自然科学汉文版)
• 学科: 物理学
• 关键词: 静压 外延层 超晶格 迁移率
• 年，卷（期）: 2002,（3）
• 页码范围: 225-229
• 页数: 5页
• 分类号: O472
• 字数: 2063字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8735.2002.03.007

摘要

考虑压力对有效质量的影响,讨论电子迁移率随压力的变化,分别计算并比较了体ZnSe、ZnSe/GaAs外延层以及ZnSe/ZnS超晶格系统中电子迁移率随压力的变化,提出了非自由基超晶格系统的等效外延层模型.研究表明,内部应变和衬底对系统的电子迁移率随压力变化有重要影响,自由基和非自由基系统中电子迁移率的压力特性有很大区别.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭子政	内蒙古师范大学物理系	40	143	6.0	10.0