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0.13μm级8M低功耗SRAM
0.13μm级8M低功耗SRAM
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摘要：
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低功耗绝热SRAM
绝热电路
低功耗
SRAM
VLSI设计
一种4-Mb高速低功耗CMOS SRAM的设计
静态存储器
灵敏放大器
存取时间
Cortex-M0+内核Kinetis L系列的低功耗机制初探
Cortex-M0+内核
功耗模型
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采用0.18μm CMOS工艺的多端口SRAM设计
多端口
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期刊影响力
电子与封装
主办单位：
中国电子科技集团公司第五十八研究所
出版周期：
月刊
ISSN：
1681-1070
CN：
32-1709/TN
开本：
大16开
出版地：
江苏无锡市惠河路5号（208信箱）
邮发代号：
创刊时间：
2002
语种：
chi
出版文献量（篇）
3006
总下载数（次）
24
总被引数（次）
9543
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