GeSe2非晶半导体薄膜中光致结构及性能变化

• 作者: 刘启明 干福熹
• 来源期刊: 光学学报
• 学科: 工学
• 关键词: GeSe2非晶半导体薄膜 氩离子激光辐照 光致结构及性能变化
• 年，卷（期）: 2002,（5）
• 所属期刊栏目: 光学材料
• 页码范围: 636-640
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.8
• 字数: 4169字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-2239.2002.05.027

摘要

运用X射线衍射分析、红外光谱分析、扫描电镜分析和透射光谱分析,研究了GeSe2非晶半导体薄膜经514.5 nm波长的氩离子激光辐照后的结构及性能变化.实验结果表明,经热处理和激光辐照后,薄膜的光学吸收边均移向短波长处,这种移动随着辐照激光强度和辐照时间的增加而增大,并且在退火薄膜中是可逆的.扫描电镜分析结果表明,薄膜在激光辐照后有微晶析出,这种微晶的析出量随着辐照激光强度的增强而增加.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	干福熹	中国科学院上海光学精密机械研究所	288	2527	23.0	29.0
2	刘启明	中国科学院上海光学精密机械研究所	18	426	9.0	18.0