双层膜结构测量CMOS器件X射线相对剂量增强因子及其理论模拟

• 作者: 关颖 吴国荣 周辉 张义门 林东升 郭红霞 陈雨生 韩福斌 龚建成
• 来源期刊: 核电子学与探测技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 双层膜结构 剂量增强 粒子输运模拟 相对增强因子
• 年，卷（期）: 2002,（1）
• 页码范围: 47-51
• 页数: 5页
• 分类号: O434.1
• 字数: 3646字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-0934.2002.01.014

摘要

首次在国内提出了一种双层膜结构相对测量法.用该方法测量了CMOS器件X射线的相对剂量增强因子RDEF(Relative Dose Enhancement Factor).同时用Monte-Carlo粒子输运方法计算了实验条件下Al/Au/Si、Au/Al/Si结构界面过渡区剂量分布,理论模拟与实验验证,符合较好.