Cr-Si-Ni-N电阻薄膜的晶化与氧化特性

• 作者: 吴建生 毛立忠 董显平
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 电阻薄膜 晶化 氧化 氮 电性能
• 年，卷（期）: 2002,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 528-531
• 页数: 4页
• 分类号: TM544.4
• 字数: 3341字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2002.05.026

摘要

在PN2/PAr2分压比分别为0%、2.5%、5%、1O%的溅射气氛中制备了不同氮含量的Cr-Si-Ni-N薄膜,并研究了薄膜在热处理过程中的晶化、氧化行为以及电性能变化.结果表明,非晶Cr-Si-Ni-N薄膜在加热过程中,将析出晶化相CrSi2;随薄膜中氮含量增加,晶化相的形核与长大减缓,然而,薄膜的抗氧化能力得到提高.与低氮含量Cr-Si-Ni-NN薄膜相比,高氮含量Cr-Si-Ni-N薄膜的电阻值在热处理过程中变化较小、欲获得较小电阻温度系数(TCR)需要更高的退火温度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴建生	上海交通大学材料学院教育部高温材料及高温测试重点实验室	141	1402	19.0	30.0
2	董显平	上海交通大学材料学院教育部高温材料及高温测试重点实验室	20	67	5.0	7.0
3	毛立忠	上海交通大学材料学院教育部高温材料及高温测试重点实验室	4	13	3.0	3.0