电化学C-V法研究磁性GaMnSb/GaSb单晶的载流子浓度纵向分布

• 作者: 宋书林 张富强 张秀兰 林兰英 王占国 胡文瑞 陈诺夫
• 来源期刊: 科学通报
• 学科: 工学
• 关键词: 电化学C-V 磁性半导体 GaMnSb
• 年，卷（期）: 2002,（17）
• 所属期刊栏目: 简报
• 页码范围: 1299-1301
• 页数: 3页
• 分类号: TN3
• 字数: 2543字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0023-074X.2002.17.004

摘要

采用电化学C-V方法和Tiron电解液研究了GaMnSb/GaSb单晶载流子浓度的纵向分布, 所得结果与Hall测量结果和X射线衍射分析结果一致. 研究结果表明GaMnSb单晶中的Mn原子替代了GaSb中部分Ga原子的位置, 并在GaSb中形成了浅受主能级.