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摘要:
研究a-Si:H薄膜样品在长时间强光照后会引起光、暗电导率的降低(S-W效应)及薄膜的光转换效率.实验表明,随着光照时间增加,薄膜的光接受灵敏度下降,光电转换效率也相应降低,就此提出了S-W效应发生的微观模型.
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文献信息
篇名 非晶硅氢薄膜材料光稳定性的研究
来源期刊 西北民族学院学报(自然科学版) 学科 物理学
关键词 a-Si:H S-W效应 缺陷态
年,卷(期) 2003,(1) 所属期刊栏目 数理科学和化学
研究方向 页码范围 27-30
页数 4页 分类号 O484.4
字数 2597字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1009-2102.2003.01.010
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 薛华 西北民族学院物理工程技术学院 11 37 3.0 5.0
2 周志文 西北民族学院物理工程技术学院 35 108 5.0 8.0
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2013(1)
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研究主题发展历程
节点文献
a-Si:H
S-W效应
缺陷态
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
西北民族大学学报(自然科学版)
季刊
1009-2102
62-1188/N
大16开
兰州市西北新村1号
1980
chi
出版文献量(篇)
1696
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3
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5175
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