全离子注入NPN型偶载场效应晶体管的离子注入工艺研究

• 作者: 于理科 任永玲 姬成周 李国辉 郭慧民
• 来源期刊: 北京师范大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 离子注入 高斯模型 半高斯模型
• 年，卷（期）: 2003,（3）
• 页码范围: 320-324
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.3
• 字数: 2187字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0476-0301.2003.03.006

摘要

通过trim软件和高斯模型对离子注入后快速退火载流子分布进行设计,初步构造出离子注入的分布图像,通过与实验结果比较,进一步完善模型.选用高斯与半高斯混合模型,得到了与实验结果更吻合的模拟方案.从而找到了研制NPN型偶载场效应晶体管(VDCFET)离子注入的最佳条件,并研制了性能良好的VDCFET.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李国辉	北京师范大学教育部射线束与材料改性重点实验室北京师范大学低能核物理研究所	12	13	2.0	3.0
2	郭慧民	北京师范大学教育部射线束与材料改性重点实验室北京师范大学低能核物理研究所	3	3	1.0	1.0
3	任永玲	北京师范大学教育部射线束与材料改性重点实验室北京师范大学低能核物理研究所	3	0	0.0	0.0
4	于理科	北京师范大学教育部射线束与材料改性重点实验室北京师范大学低能核物理研究所	3	1	1.0	1.0