一种新型PNP晶体管的数值分析

• 作者: 周会 姬成周 郭慧民
• 来源期刊: 北京师范大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 器件物理 数值模拟 新型晶体管
• 年，卷（期）: 2003,（2）
• 页码范围: 188-192
• 页数: 5页
• 分类号: TN32
• 字数: 1521字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0476-0301.2003.02.009

摘要

从基本半导体方程出发,用数值模拟方法得到了一种新型晶体管内部的电场分布,载流子浓度分布和输出特性.晶体管的有效基区宽度约为50nm.证明了这种晶体管有效基区中的电场是载流子输运的主要机制,它的输出特性与MOS场效应管的输出特性相似.这种晶体管有望用作数字电路中的高速器件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周会	北京师范大学物理学系	4	8	2.0	2.0