原料对碳化硅单晶生长的影响

• 作者: 庄击勇 施尔畏 肖兵 陈之战
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 碳化硅原料 碳化硅单晶 相转变 Si/C摩尔比 针孔
• 年，卷（期）: 2003,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 737-743
• 页数: 7页
• 分类号: O78
• 字数: 4318字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2003.04.005

摘要

研究了具有立方结构的碳化硅(β-SiC)粉料在单晶生长过程中的物相变化及对生长晶体均匀性、缺陷等的影响.实验发现,在晶体生长过程中原料的晶型转变和Si、C挥发不一致造成晶体沿生长方向存在一个Si/C摩尔比的最大值.晶体中的针孔等缺陷的形成与原料中的杂质和气相组分偏离Si/C＝1摩尔比有关,并通过电子探针得到证实.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	施尔畏	中国科学院上海硅酸盐研究所	71	1736	25.0	41.0
2	陈之战	中国科学院上海硅酸盐研究所	23	556	13.0	23.0
3	肖兵	中国科学院上海硅酸盐研究所	11	152	8.0	11.0
4	庄击勇	中国科学院上海硅酸盐研究所	3	52	3.0	3.0