偏压对电弧离子镀薄膜表面形貌的影响机理

• 作者: 孙超 林国强 董闯 闻立时 黄美东
• 来源期刊: 金属学报
• 学科: 工学
• 关键词: 偏压 电弧离子镀 Tin薄膜 表面形貌
• 年，卷（期）: 2003,（5）
• 页码范围: 510-515
• 页数: 6页
• 分类号: TB43|TG115.21
• 字数: 4120字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0412-1961.2003.05.009

摘要

在不同偏压下用电弧离子镀沉积TiN薄膜,采用扫描电子显微镜(SEM)观察薄膜表面大颗粒污染情况,并分析偏压对大颗粒的影响.结果表明,偏压对大颗粒的影响主要来自电场的排斥作用.直流偏压下,等离子体鞘层基本稳定,电子对大颗粒表面充电能力很弱,而脉冲偏压下,由于鞘层厚度不断变化,大颗粒不断进出于鞘层,电子对大颗粒表面的充电能力强,使其所带负电荷明显增多,受到基体的排斥力变大,大颗粒不易沉积到基体而使薄膜形貌得到有效改善.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	董闯	大连理工大学三束实验室	198	2023	23.0	34.0
2	孙超	中国科学院金属研究所	126	1708	23.0	34.0
3	闻立时	中国科学院金属研究所	117	1859	24.0	36.0
4	林国强	大连理工大学三束实验室	59	562	13.0	21.0
5	黄美东	大连理工大学三束实验室	6	213	5.0	6.0