P型高阻硅单晶材料的寿命初探

• 作者: 刘兴德 张由群 邓宪章
• 来源期刊: 成都理工大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 寿命 缺陷 纯度 P型高阻硅单晶
• 年，卷（期）: 2003,（5）
• 所属期刊栏目: 材料科学
• 页码范围: 547-550
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 3974字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-9727.2003.05.019

摘要

高寿命、低补偿的P型高阻硅单晶是制作激光探测器的重要材料.寿命是P型高阻硅单晶材料的重要参数.作者选择了3组N型多晶硅原材料进行试验,其中每组2个样品,共为6个样品.在实验的基础上,分析了影响P型高阻硅单晶材料寿命的因素.研究结果表明,P型高阻硅单晶材料的寿命不仅取决于晶体的完整性和材料的纯度,而且还与原材料和成晶工艺有密切关系,同时作者提出了提高P型高阻硅单晶的寿命的几点建议.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘兴德	成都理工大学地球科学学院	16	118	5.0	10.0
2	张由群	成都理工大学信息工程学院	2	5	1.0	2.0
3	邓宪章	四川省峨眉半导体材料研究所硅单晶研究室	1	1	1.0	1.0