金属预置层后硒化法制备的CuInSe2薄膜结构特性研究

• 作者: 刘维一 周志强 孙云 孙钟林 张加友 李凤岩 李长健 薛玉明 龚晓波
• 来源期刊: 太阳能学报
• 学科: 工学
• 关键词: 后硒化 铜铟硒薄膜 结构特性
• 年，卷（期）: 2003,（3）
• 页码范围: 335-339
• 页数: 5页
• 分类号: TM615
• 字数: 3074字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0254-0096.2003.03.012

摘要

CuInSe2(简称CIS)薄膜是太阳电池吸收层的重要材料.利用连续溅射金属层后硒化法制备CuInSe2薄膜.薄膜的XRD图样显示:CuInSe2薄膜的形成与制备条件密切相关;在较大Cu、In原子比的范围内,在一定的硒化条件下,都可以形成以CuInSe2为基体的薄膜.SEM图样显示,不同Cu/In比值的表面形貌有较大的不同.Cu/In接近1时,薄膜的表面形貌均质且颗粒致密.Raman谱图显示,Cu、In配比不当会使薄膜中出现少量的杂相组织,在632.8nm激发波波长下,还有210cm-1和229cm-1两处的特征峰.通过光吸收测量得到CuInSe2的带隙是1.05eV,通过电导率测量得到其激活能为0.486eV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周志强	南开大学光电子所	116	369	10.0	16.0
2	孙云	南开大学光电子所	33	390	11.0	19.0
3	孙钟林	南开大学光电子所	45	304	11.0	15.0
4	刘维一	南开大学光电子所	17	368	11.0	17.0
5	李凤岩	南开大学光电子所	16	135	6.0	11.0
6	张加友	南开大学光电子所	5	76	3.0	5.0
10	李长健	南开大学光电子所	16	191	6.0	13.0
11	薛玉明	南开大学光电子所	9	117	5.0	9.0
12	龚晓波	南开大学光电子所	1	17	1.0	1.0