低束流钕离子注入外延硅薄层的结构研究

• 作者: 曾宇昕 王水凤 程国安 肖志松
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 离子注入 钕硅化合物 结构
• 年，卷（期）: 2003,（11）
• 所属期刊栏目: 低能加速器技术、射线技术及应用
• 页码范围: 823-826
• 页数: 4页
• 分类号: O474
• 字数: 2667字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2003.11.004

摘要

采用金属蒸气真空弧(MEVVA)离子源以低束流方式将Nd离子注入到外延硅片中,经高温快速退火处理,制备了结晶良好的钕硅掺杂层.用扫描电子显微镜(SEM)、反射式高能电子衍射(RHEED)和X射线衍射(XRD)分析了在不同退火条件下样品注入层相结构的变化.研究结果表明,经高温热处理,注入层形成结晶良好的钕硅化合物,出现由Nd5Si4相向NdSi相转变的趋势.并对其转变过程进行了初步探讨.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程国安		28	204	9.0	13.0
5	王水凤		15	55	4.0	6.0
6	曾宇昕	中国科学院半导体研究所	11	25	4.0	4.0
8	肖志松	北京师范大学低能核物理研究所教育部射线束材料工程开放实验室	8	10	2.0	2.0