螺旋波等离子体增强化学气相沉积氮化硅薄膜

• 作者: 丁学成 于威 侯海虹 傅广生 刘丽辉 韩理
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 螺旋波等离子体 化学气相沉积 氮化硅薄膜
• 年，卷（期）: 2003,（3）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 687-691
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3433字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2003.03.033

摘要

利用螺旋波等离子体增强化学气相沉积(HWP-CVD)技术,以SiH4和N2为反应气体进行了氮化硅(SiN)薄膜沉积,并研究了实验参量对薄膜特性的影响.利用傅里叶变换红外光谱、紫外-可见光谱和椭偏光检测等技术对薄膜的结构、厚度和折射率等参量进行了测量.结果表明,采用HWP-CVD技术能在低衬底温度条件下以较高的沉积速率制备低H含量的SiN薄膜,所沉积的薄膜主要表现为Si-N键合结构.采用较低的反应气体压强将提高薄膜沉积速率,并使薄膜的致密性增加.适当提高N2/SiH4比例有利于薄膜中H含量的降低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩理	河北大学物理科学与技术学院	39	204	8.0	11.0
2	傅广生	河北大学物理科学与技术学院	184	817	13.0	17.0
3	于威	河北大学物理科学与技术学院	91	346	9.0	13.0
4	侯海虹	河北大学物理科学与技术学院	3	33	3.0	3.0
5	丁学成	河北大学物理科学与技术学院	44	89	5.0	7.0
6	刘丽辉	河北大学物理科学与技术学院	3	31	2.0	3.0