螺旋波等离子体化学气相沉积法制备纳米碳化硅薄膜

• 作者: 于威 傅广生 孙运涛 王保柱 韩理
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米碳化硅 螺旋波等离子体 化学气相沉积
• 年，卷（期）: 2003,（3）
• 页码范围: 272-275
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.24
• 字数: 2540字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2003.03.019

摘要

采用螺旋波等离子体化学气相沉积 (HWP-CVD)技术在Si(100)和石英衬底上合成了具有纳米结构的碳化硅薄膜.通过X射线衍射(XRD)、傅立叶红外透射(FTIR)和原子力显微镜(AFM)等技术对所制备薄膜的结构、组分和形貌进行了分析,利用光致发光技术研究了样品的发光特性.分析表明,在700℃的衬底温度和1.33Pa的气压条件下所制备纳米SiC薄膜的平均颗粒度在3nm以下,红外透射谱主要表现为Si-C吸收.结果说明HWP-CVD为制备高质量纳米SiC薄膜的有效技术,所制备样品呈现出室温短波长可见发光特性,发光谱主峰位于395nm附近.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩理	河北大学物理科学与技术学院	39	204	8.0	11.0
2	傅广生	河北大学物理科学与技术学院	184	817	13.0	17.0
3	于威	河北大学物理科学与技术学院	91	346	9.0	13.0
4	王保柱	河北大学物理科学与技术学院	5	62	4.0	5.0
5	孙运涛	河北大学物理科学与技术学院	6	42	4.0	6.0