18μm CMOS工艺条件下的信号完整性分析

• 作者: 叶甜春 叶青 周玉梅 孙加兴
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 互连线延迟 信号完整性 串扰 噪声
• 年，卷（期）: 2003,（10）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1030-1034
• 页数: 5页
• 分类号: TN405.97
• 字数: 180字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.10.005

摘要

通过模拟分析了0.18μm CMOS工艺条件下的信号完整性问题.在进行串扰延迟和噪声分析中发现了一些规律,这些规律对以后的设计有一定的指导意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	叶甜春	中国科学院微电子中心	200	911	14.0	18.0
2	周玉梅	中国科学院微电子中心	94	1031	16.0	28.0
3	叶青	中国科学院微电子中心	103	768	15.0	25.0
4	孙加兴	中国科学院微电子中心	6	56	5.0	6.0