采用USP-CVD沉积SnO2透明导电膜--F、Sb掺杂及特性研究

• 作者: 丁尔峰 于化丛 周之斌 崔容强 赵亮 赵占霞
• 来源期刊: 电源技术
• 学科: 工学
• 关键词: 超声雾化喷涂化学气相沉积(USP-CVD) SnO2:F SnO2:Sb NH4F HF
• 年，卷（期）: 2004,（12）
• 所属期刊栏目: 研究与设计
• 页码范围: 779-783
• 页数: 5页
• 分类号: TM914.4
• 字数: 3045字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-087X.2004.12.013

摘要

以F、Sb掺杂,采用超声雾化喷涂化学气相沉积工艺制备出二氧化锡透明导电膜.对SnO2:F薄膜的沉积工艺进行了研究,探索出最佳的工艺条件,沉积出方块电阻低达6 Ω/口左右的高透过率透明导电薄膜,其可见光平均透过率可以达到85%.分析了HF和NH4F掺杂的不同点.对在两种最佳工艺条件下沉积的膜的结构、电学性质进行了研究.对SnO2:Sb薄膜的电学性质进行了研究,用X射线衍射方法分析了在同一温度下,不同Sb掺杂浓度的膜的结构.并对薄膜的透过率、折射率及光学带隙等光学性质进行了分析.