多层GaAlInP半导体发光材料的双晶衍射分析与拟合

• 作者: Joachim F.Woitok 刘颂豪 吴文光 孙慧卿 廖常俊 李华兵 李述体 王浩 范广涵 郑树文 郭志友 陈炼辉 陈贵楚
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: MOCVD 双晶衍射 GaAlInP 拟合
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 页码范围: 96-99
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 2273字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2004.01.021

摘要

应用双晶衍射仪对MOCVD外延生长所得到的一个GaAlInP双异质结(DH)的单晶多层结构进行测试与分析.应用双晶衍射的动力学理论模拟此样品的摇摆曲线,并结合界面的融合、晶格崎变与缺陷的散射来解释测试结果.对衍射谱的展宽提供了合理的解释,比较肯定地确定了此样品的结构与晶体质量.涉及缺陷对衍射FWHM的展宽的解释与关于缺陷的半动力学衍射理论相比,简单明了,实用于实际的生产检测.并根据分析结论对晶体质量的改进提供技术方案,改进了晶体质量.