MOSFET失配的研究现状与进展

• 作者: 吴建辉 时龙兴 罗岚 赵光永
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: MOSFET 失配 失调 模型 蒙特卡罗
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 页码范围: 767-771
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 4069字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2004.04.055

摘要

特定工艺条件下的器件失配程度限制了射频/模拟集成电路的设计精度和成品率.电路设计者需要精确的MOSFET失配模型来约束电路优化设计,版图设计者需要相应的设计规则来减小芯片失配.本文介绍了MOSFET失配的基本概念;回顾了MOSFET模型的研究进展及相关的版图设计技术、计算机仿真方法;总结了MOSFET失配对电路性能的影响及消除技术.最后探讨了MOSFET失配的研究趋势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴建辉	东南大学国家专用集成电路系统工程研究中心	102	725	13.0	20.0
2	时龙兴	东南大学国家专用集成电路系统工程研究中心	61	457	11.0	18.0
3	赵光永	东南大学国家专用集成电路系统工程研究中心	2	9	2.0	2.0
4	罗岚	东南大学国家专用集成电路系统工程研究中心	27	260	10.0	14.0