基于AlAs氧化法研制的垂直腔面发射激光器

• 作者: 刘云 孙艳芳 宁永强 晏长岭 王立军 王青 秦莉 赵路民 金珍花
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 垂直腔面发射激光器 选择性氧化 分子束外延
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 98-100,114
• 页数: 4页
• 分类号: TN365
• 字数: 2260字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2004.02.005

摘要

结合垂直腔面发射激光器的制备,研究了AlAs选择性氧化工艺中氧化炉温、氮气流量、水温等条件和AlAs层的横向氧化速率之间的关系,并得到了可精确控制氧化过程的工艺条件,在优化的工艺条件下运用湿氮氧化制备出InGaAs/GaAs垂直腔面发射激光器,实现了器件的室温脉冲激射.