半导体器件高功率微波毁伤阈值实验

• 作者: 刘亿亮 李立萍 杨晓波
• 来源期刊: 实验科学与技术
• 学科: 工学
• 关键词: 高功率微波 毁伤阈值 电磁场计算
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 实验技术
• 页码范围: 7-9,16
• 页数: 4页
• 分类号: TN303
• 字数: 1906字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-4550.2004.03.003

摘要

本文研究用实验方法测定半导体器件在高功率微波(HPM)照射下的毁伤阈值.介绍了实验系统的结构、原理,分析了如何用数值方法确定半导体器件所吸收的微波功率,对实验数据进行了分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李立萍		57	562	14.0	21.0
2	杨晓波		37	316	9.0	16.0
3	刘亿亮		1	2	1.0	1.0